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850±10nm單模VCSEL激光器(帶TEC) 1mW 產(chǎn)品總覽 Philips借經(jīng)過優(yōu)化的光學特性，850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統(tǒng)應用的理想選擇。創(chuàng)新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時具有線性偏振穩(wěn)定性。

760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器VCSEL TO39 760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點,2nm調(diào)諧范圍,專為可調(diào)諧半導體激光吸收光譜（TDLAS）應用而設計,內(nèi)置防靜電（ESD）保護.

1567nm VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器 1.0mW 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結(jié)構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。

795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±10°C) 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。

852±1nm Philips單模VCSEL激光器 1mW（帶TEC） Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實驗，還有852nm用于CS原子冷卻。